IRF40B207シングルNチャンネルHEXFET™パワーMOSFET

Infineon IRF40B207シングルNチャンネル HEXFET™パワーMOSFETには、エンハンスドボディダイオードdv/dt およびdl/dt 機能を備えています。このMOSFETは、改良されたゲート、アバランシェ、およびダイナミックdv/dt の耐久性があります。このMOSFETの典型的なドレインソース間の静的オン抵抗は、3.6mΩです。このパワーMOSFETはRoHSに準拠しており、完全な特性が備わった容量および安全動作領域（SOA）が特徴です。アプリケーションには、ブラシ付きおよびBLDCモーター駆動のアプリケーション、バッテリ給電回路、ハーフブリッジとフルブリッジポロジ、電源、電源スイッチがあります。IRF40B207は無鉛およびハロゲンフリーで、TO-220ABパッケージでご用意があります。