NVHL110N65S3F

Name: onsemi NVHL110N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL110N65S3F
Price: 1137 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NVHL110N65S3F

メーカ番号：

NVHL110N65S3F

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110M

データシート:

NVHL110N65S3F データシート

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	110 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	58 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	240 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
トレードネーム:	SuperFET III
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	16 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	17 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	32 ns
シリーズ:	SuperFET3
工場パックの数量:	450
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	61 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	29 ns
単位重量:	6 g

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データシート

NVHL110N65S3F データシート

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVHL110N65S3F 650V 30A SUPERFET® IIIパワーMOSFET

onsemi NVHL110N65S3F 650V 30A SUPERFET® IIIパワーMOSFETは、際立った低オン抵抗と低ゲート電荷性能を目的に充電バランス・テクノロジが活用されている、高電圧AEC-Q101認定スーパージャンクション（SJ）MOSFETです。充電バランス技術によって導通損失が最小化され、優れたスイッチング性能が実現し、極端的なdV/dt率に耐える機能を有効にできます。NVHL110N65S3F SUPERFET III MOSFETは、ミニチュア化と高効率を必要とするパワー・システムに最適です。また、NVHL110N65S3Fは、逆回復ボディダイオード性能向けに最適化されており、機能が搭載されており、必要な追加部品の削減とシステム信頼性の向上がもたらされています。

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET^® III MOSFETは、高電圧（T_J= 150ºCで700V）スーパージャンクション（SJ）MOSFETで、充電バランス技術を用いています。この技術によって、非常に低いオン抵抗（標準59mΩまたは62mΩ R_DS(on)）およびより低いゲート充電性能（標準78nC Qg）が実現しています。SuperFET III MOSFETは、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、ドレイン-ソース電圧の極端な上昇率に耐えるように設計されています。dv/dt Fairchild SuperFET IIIは、小型化と高効率化を目的としたさまざまな電源システムに最適です。