DMTH4M70SPGWQ Nチャネル拡張モードMOSFET

Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ NチャネルエンハンスメントモードMOSFETは、10Vのゲート駆動で0.54mΩの標準RDS(ON)が特徴の車載適合40V MOSFETで、ゲート電荷は117nCです。DMTH4M70SPGWQは、大電流に対応し熱効率性に優れた革新的な電力パッケージであるPowerDI®8080-5に収められており、電気自動車(EV)アプリケーションに最適です。AEC-Q101認定のDiodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ MOSFETは、消費電力を絶対最小に維持することを保証すると同時にシステム効率を最大化できるように、車載用高出力BLDCモーター駆動、DC/DCコンバータ、チャージシステムの設計を促進します。デバイスは、+175°Cまでの動作温度を実現しています。

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Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI8080-5 T&R 2K 1,113在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Diodes Incorporated DMTH4M40SPGWQ-13
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI8080-5 T&R 2K 4,000工場在庫あり
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated DMTH81M2SPGWQ-13
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI8080-5 T&R 2K 6,000工場在庫あり
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated DMTH10H1M7SPGWQ-13
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI8080-5 T&R 2K 2,000工場在庫あり
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated DMTH4M72SPGWQ-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI8080-5 T&R 2K 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated DMTH6M70SPGWQ-13
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI8080-5 T&R 2K 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000