UMOS9-HシリコンNチャンネルMOSFET

Toshiba UMOS9-HシリコンNチャンネルMOSFETは、効率性の高いDC-DCコンバータ、スイッチング電圧レギュレータ、 モータドライバに最適です。これらのMOSFETは、小型ゲート電荷、小型出力電荷、低ドレイン-ソース間オン抵抗、低リーク電流が特徴です。UMOS9-H NチャンネルMOSFETは、80Vドレイン-ソース電圧、 ±20Vゲート-ソース電圧、175°Cチャネル温度が特徴です。また、これらのMOSFETは、 ±0.1µAゲート漏れ電流、10µAドレインカットオフ電流、 A -55°C ~ 175°Cストレージ温度範囲も特徴です。UMOS9-H NチャンネルMOSFETはRoHSに準拠しており、0.108g 2-5W1A (SOP高度(N) ) パッケージに収められています。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm 10,000在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 71 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm 4,155在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 107 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38 nC + 175 C 135 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm 4,710在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 79 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 26 nC + 175 C 109 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm 4,833在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 120 A 1.96 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET SOP8 N-CH 40V 150A 5,977在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 0.79mohm
5,000予想2026/02/16
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 150 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape