NXH040P120MNF1 SiCモジュール

onsemi NXH040P120MNF1 SiCモジュールは、F1モジュールに40MΩ 1200V SiC MOSFETハーフブリッジおよびNTCサーミスタを内蔵しています。 このモジュールの推奨ゲート電圧は18V〜20Vです。NXH040P120MNF1は、さらなる高電圧でのRDS(ON)が改善されており、低熱抵抗が特徴です。