LPDDR4 & LPDDR4XモバイルSDRAM

ISSI LPDDR4およびLPDDR4X SDRAMは、低電圧メモリデバイスで、2Gb、4Gb、8Gbの密度でご用意があります。これらのデバイスは低電圧コアとI/O電力要件により、モバイルアプリケーションに最適です。LPDDR4およびLPDDR4X SDRAMには、10MHz～1600MHzのクロック周波数範囲およびI/Oあたり最大3200Mbpsのデータレートが備わっています。これらのデバイスは、同時動作を目的とした、チャンネルあたり8個の内部バンクで構成されています。LPDDR4およびLPDDR4Xはどちらも、プログラマブルおよび「オンザフライ」バースト長でのプログラマブル読取と書込レイテンシを備えています。

結果: 14
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル タイプ
メモリ サイズ
データ バス幅
最高クロック周波数
パッケージ/ケース
編成
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
データシート
41在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 3

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
データシート
5在庫
544予想2026/07/17
最低： 1
複数： 1
最大： 93

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
データシート
65在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 3

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
データシート
5在庫
136予想2026/12/14
最低： 1
複数： 1
最大： 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
データシート
921取寄中
最低： 1
複数： 1
最大： 137

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
データシート
1,494取寄中
最低： 1
複数： 1
最大： 291

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
データシート
809予想2026/08/07
最低： 1
複数： 1
最大： 143

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
データシート
373取寄中
最低： 1
複数： 1
最大： 42

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 32Gb 1.06-1.17/1.70-1.95V LPDDR4 1Gx32 2133MHz 200 ball BGA (10mmx14.5mm)
データシート
534取寄中
最低： 1
複数： 1
最大： 2

SDRAM - LPDDR4 32 Gb 32 bit 2.133 GHz BGA-200 1 Gb x 32 1.7 V 1.95 V Tray
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
データシート
3,271取寄中
最低： 1
複数： 1
最大： 437

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
データシート
702取寄中
最低： 1
複数： 1
最大： 165

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
データシート
544取寄中
最低： 1
複数： 1
最大： 50

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 136
複数： 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
データシート
非在庫リードタイム 38 週間
最低： 136
複数： 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C