CoolGaN™ 100V G3トランジスタ

インフィニオン (Infineon)CoolGaN™100V G3 トランジスタは、コンパクトな筐体に収められたノーマリーオフ型エンハンスメントモード（e-mode）パワートランジスタです。これらのトランジスタはオン状態抵抗が低く、要求の厳しい大電流・高電圧アプリケーションにおいて信頼性の高い性能を発揮する理想的な選択肢となります。CoolGaNトランジスタは 熱管理を改善するよう設計されています。代表的なアプリケーションには、オーディオアンプソリューション、太陽光発電、通信インフラ、e‑モビリティ、ロボティクス、ドローンが含まれます。

結果: 5
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
データシート
3,840在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
データシート
3,399在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
データシート
2,250在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
データシート
5,415在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
データシート
1,225在庫
10,000予想2026/02/23
最低： 1
複数： 1
リール: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN