CGHV35400F1

Name: MACOM CGHV35400F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV35400F1
Price: 198942 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

941-CGHV35400F1

メーカ番号：

CGHV35400F1

メーカ：

MACOM

詳細：

GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

データシート:

CGHV35400F1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	MACOM
製品カテゴリー:	GaN FET
配送制限	この製品をアメリカから配送するには、追加の書類が必要になることがあります。
RoHS:
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	440225
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	125 V
Id - 連続ドレイン電流:	24 A
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
ブランド:	MACOM
ゲイン:	11 dB
最高動作周波数:	3.5 GHz
最小動作周波数:	2.9 GHz
出力電力:	400 W
パッケージ化:	Tray
製品タイプ:	GaN FETs
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN
トランジスタタイプ:	GaN HEMT
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:	- 10 V, 2 V

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データシート

CGHV35400F1 データシート (PDF)

PCN

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JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

CGHV35400F 400W 50ΩI/O整合GaN HEMT

Wolfspeed CGHV35400F 400W 2.9GHz～3.5GHz、50ΩI/O整合GaN HEMTは、Sバンドレーダーアンプアプリケーションを対象としており、高効率、高ゲイン、広大な帯域幅機能が備わっています。CGHV35400Fトランジスタは、入力で50Ω、出力で50ohmにマッチングされています。