OptiMOS™ 8パワーMOSFET

インフィニオン (Infineon) OptiMOS™ 8 パワーMOSFETは、Nチャンネル、ノーマルレベルの80V（ISC016N08NM8およびISC016N08NM8SC）または100V（ISC019N10NM8SC）対応MOSFETで、非常に低いオン抵抗［RDS(ON)］を備えています。ISC016N08NM8SCとISC019N10NM8SCは両面冷却パッケージ（WSON-8）で提供され、ISC016N08NM8は標準TDSON-8パッケージで提供されます。各パッケージには優れた熱抵抗が備わっており、100%アバランシェ試験済みです。Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFETは、ソフトリカバリダイオード、無鉛、ハロゲンフリー、RoHS準拠が特徴です。

結果: 3
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
データシート
375在庫
500予想2026/08/26
最低： 1
複数： 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
データシート
4,000予想2027/02/18
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
データシート
945取寄中
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel