MR3A16A 8MB 16-Bit I/O Parallel Interface MRAM

Everspin Technologies MR3A16A 8MB 16-Bit I/O Parallel Interface Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) modules are 8,388,608-bit MRAM devices organized as 524,288 words of 16 bits. The MR3A16A series features SRAM-compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. Data is always nonvolatile for >20 years and is automatically protected. The modules are available in a 48-pin ball grid array (BGA) package with a small footprint and a 54-pin thin small outline package (TSOP Type 2). Both package types are compatible with similar low-power SRAM products and nonvolatile RAM products. Everspin MR3A16A MRAM devices provide highly reliable data storage over various temperatures. The series offers an ideal memory solution for applications that permanently store and quickly retrieve critical data and programs.

結果: 10
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 480
複数: 240

BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 480
複数: 240

BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 216
複数: 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 216
複数: 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Reel