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SI6423ADQ-T1-GE3

Name: Vishay SI6423ADQ-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI6423ADQ-T1-GE3
Price: 233 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SI6423ADQ-T1-GE3

メーカ番号：

SI6423ADQ-T1-GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

データシート:

SI6423ADQ-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 5,749

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥233.6	¥234
	¥147.2	¥1,472
	¥97.9	¥9,790
	¥76.6	¥38,300
	¥69.8	¥69,800
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥61	¥183,000
	¥56.6	¥339,600
	¥54.2	¥487,800

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSSOP-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	12.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9.8 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	112 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	2.2 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
下降時間:	36 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	70 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	TrenchFET Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	120 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
単位重量:	158 mg

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選択した属性: 0

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データシート

SI6423ADQ-T1-GE3 データシート

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Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Si6423ADQ Pチャンネル20V MOSFET

Vishay / Siliconix Si6423ADQ Pチャンネル20V MOSFETは、TSSOP-8パッケージに収められており、-20Vドレイン-ソース電圧、20mJシングル・パルス・アバランシェ・エネルギー定格が活用されています。このMOSFETは、単一の構成設計が特徴です。ハロゲンフリー、RoHSに準拠しており、R_gおよびUIS試験を100%実施済みです。Vishay Si6423ADQ Pチャンネル20V MOSFETは、ロードスイッチ、バッテリスイッチ、パワーマネージメントの各アプリケーションに最適です。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.