DMTH601xLPSQ NチャンネルエンハンストモードMOSFET

Diodes Inc. DMP3130LQ PチャンネルエンハンストモードMOSFETは、車載アプリケーションの厳しい要件を満たすように設計されています。DMTH601xLPSQ MOSFETは、AEC-Q101の認定を受けており、PPAP(生産部品承認プロセス)でに対応しているため、エンジン管理システム、ボディコントロールエレクトロニクスおよびDC/DCコンバータででの使用に理想的です。DMTH601xLPSQ MOSFETには、低RDS(ON)、低入力容量、高速スイッチング速度が備わっています。Diodes IncorporatedのユニークなPOWERDI ®5060パッケージでて供され、DMTH601xLPSQ MOSFETは、定格~+175ºCとオフボードの高さが<1.1mmです。これによって、DMTH601xLPSQ MOSFETは、高温環境および薄型アプリケーションによく適しています。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 パッケージ化
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A 2,729在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 6,919在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel