NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V（最小値）、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C～150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。

結果: 12
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
データシート
2,525在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
データシート
1,017在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
データシート
1,003在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
データシート
1,047在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
データシート
209在庫
2,500予想2026/08/17
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
データシート
816在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
データシート
1,060在庫
最低： 1
複数： 1

Si Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
データシート
219在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
データシート
888在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube


STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
75在庫
1,000予想2026/08/24
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
非在庫リードタイム 15 週間
最低： 1,000
複数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 115 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
非在庫リードタイム 15 週間
最低： 1,000
複数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube