STP80N240K6 MDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6パワーMOSFETは、スーパージャンクション技術での20年間のSTM経験で構築された究極のMDメッシュK6技術に基づいています。高電圧NチャンネルパワーMOSFETには、超低ゲート電荷および優れたR_DS（on） x領域が備わっています。ST STP80N240K6 800VパワーMOSFETは、エリアあたりのベストインクラスのオン抵抗およびゲート電荷が特徴で、優れた電力密度と高効率を必要とするアプリケーションを対象としています。