OptiMOS™線形FETs

Infineon Technologies OptiMOS™線形FETは、強化モードMOSFETの飽和領域でのON状態抵抗RDS(on)、および線形機能動作の間のトレードオフを防止するソリューションです。デバイスは、trench MOSFETの最先端のRDS(on)およびクラシックな平面MOSFETの広い安全動作領域が特徴です。OptiMOS線形FETは、大突入電流を制限することで、負荷での損傷を防止します。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 853在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS 5,565在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 3,493在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 84 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel