SCT3030ARC15

ROHM Semiconductor
755-SCT3030ARC15
SCT3030ARC15

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC

データシート:
ECADモデル:
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在庫状況

在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,513.6 ¥3,514
¥2,875.2 ¥28,752
¥2,540.8 ¥254,080

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
70 A
39 mOhms
- 4 V, + 22 V
5.6 V
104 nC
+ 175 C
262 W
Enhancement
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 25 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 9.4 S
パッケージ化: Tube
製品: MOSFET's
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 26 ns
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 25 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 6 ns
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選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM NチャンネルSiCパワーMOSFETにはスイッチング中のテール電流が存在せず、より高速な動作とスイッチング損失の低減をもたらします。 さらに、低オン抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。 SiCは最小オン抵抗を増大させ、標準シリコンデバイスに比べてパッケージの小型化と省電力化を実現しており、温度上昇に合わせてオン抵抗を2倍以上にできます。  

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