LSIC1MO170E0750

IXYS
576-LSIC1MO170E0750
LSIC1MO170E0750

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 1,927

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,328 ¥1,328
¥779.2 ¥7,792
¥662.4 ¥66,240
¥660.8 ¥297,360
10,350 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
6.2 A
1 Ohms
- 5 V, + 20 V
4 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
ブランド: IXYS
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
シリーズ: LSIC1MO
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

LSIC1MO170E0750 NチャンネルSiC MOSFET

IXYS LSIC1MO170E0750は、高周波・高効率アプリケーション用に最適化されている750mΩNチャンネル・シリコンカーバイド（SiC）MOSFETです。低ゲート抵抗と超低オン抵抗によって、高周波スイッチング・アプリケーションに適しています。また、極めて低いゲート電荷と出力静電容量、すべての温度での通常オフ動作も特徴です。IXYS LSIC1MO170E0750は、スイッチモード電源、ソーラーインバータ、UPSシステム、高電圧DC/DCコンバータ、その他といった高周波スイッチングが活用されているさまざまなアプリケーションに適しています。

SiC MOSFET

Littelfuse SiC MOSFETは、高周波数、高効率アプリケーション向けに最適化されています。これらの堅牢なSiC MOSFETは、TO-247-3Lパッケージでご用意があり、超低オン抵抗が備わっています。Littelfuseは、社内で設計、開発、製造されたSiC MOSFETを提供しており、極めて低いゲート電荷と出力容量、すべての温度で業界を代表する性能と堅牢性、超低オン抵抗が備わっています。現在、80、120、160mOhmで1200Vの各バージョンが発売中です。

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