M3P EliteSiC MOSFET

onsemi M3P EliteSiC MOSFET は、最大定格電圧1,200Vの高電圧アプリケーション向けソリューションです。onsemi M3P MOSFETは、D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LDのパッケージで提供されます。/MOSFETはさまざまな設計要件に対応する汎用性を備えています。+ 22V/-10Vの最大ゲート-ソース電圧が備わっているEliteSiC MOSFETは、Coss、Ciss、Crssをはじめとする寄生容量の改善を促進します。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム
onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14 mohm, 1200 V, M3P, D2PAK-7L 967在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 104 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 337 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L 81在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 329 nC - 55 C + 175 C 686 W Enhancement EliteSiC