R60/R65 N-ChパワーMOSFET

ROHM SemiconductorのR60/R65 NチャンネルパワーMOSFETは、TO-220FM-3/SOT-223-3パッケージで600Vまたは650Vのドレイン-ソース電圧のシングルチャンネル出力を提供します。R60/R65 MOSFETは、-55°C〜150°C/155°Cの動作温度範囲で利用可能で、電力損失オプションは7.8W〜86Wが提供されています。R60/R65 N-ChパワーMOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適です。

結果: 56
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 258A N-CH MOSFET
データシート
553在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
データシート
600在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC + 150 C 114 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 600V 7A N-CH MOSFET
データシート
5,000在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 600V 9A N-CH MOSFET
データシート
4,949在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 60A N-CH MOSFET
データシート
600予想2026/07/22
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 11A N-CH MOSFET
データシート
リードタイム 18 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube