RGS30TSX2DHR & RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBT

ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHRおよびRGS30TSX2HR AEC-Q101フィールドストップトレンチIGBTは、10µs SCSOA(短絡安全動作領域)保証絶縁ゲートバイポーラトランジスタで、車載および産業アプリケーションでの一般的なインバータの使用に適しています。RGS30TSX2DHRおよびRGS30TSX2HRには、サイズの削減と効率性の向上に貢献する低導通損失が備わっています。これらのデバイスには、独自のトレンチゲートおよび薄型ウエハー技術が活用されています。これらのテクノロジーは、スイッチング損失が低減される低コレクタエミッタ飽和電圧(VCE(sat))の達成に貢献します。これらのIGBTは、さまざまな高電圧・大電流アプリケーションでの省エネを改善します。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 パッケージ/ケース 取り付け様式 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 最大ゲート エミッタ電圧 25 Cでのコレクターの直流 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 パッケージ化
ROHM Semiconductor IGBT TO247 1200V 15A TRNCH 871在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT 112在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube