RB098BGEショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor RB098BGEショットキーバリアダイオードは、高信頼性のパワーモールド型デバイスです。RB098BGE 超低IRとカソードコモンデュアルタイプが特徴。また、シリコンエピタキシャルプレーナ型構造が特徴です。

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 メーカ
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数量 RoHS ECADモデル 製品
取り付け様式
パッケージ/ケース
構成
技術
If - 順電流（Forward Current）
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）
Vf - 順電圧（Forward Voltage）
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）
Ir - 逆電流（Reverse Current）
最高動作温度
パッケージ化
ROHM Semiconductor ショットキーダイオードおよび整流器 RECT 60V 6A SM SKY BARRI
データシート
2,359在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 60 V 830 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor ショットキーダイオードおよび整流器 RECT 30V 3A SM SKY BARRI
データシート
2,490在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 35 V 720 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor ショットキーダイオードおよび整流器 RECT 40V 3A SM SKY BARRI
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 45 V 770 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel