SIA429DJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 3,270

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥142.4 ¥142
¥88 ¥880
¥57.1 ¥5,710
¥43.8 ¥21,900
¥39.5 ¥39,500
完全リール（3000の倍数で注文）
¥32.6 ¥97,800
¥31.2 ¥187,200
¥27.5 ¥247,500
¥26.9 ¥645,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
12 A
20.5 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
3.5 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: SIA
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
別の部品番号: SIA429DJT-GE3
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541210101
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

SiA429DJT 20V P-Channel MOSFETs

Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P-Ch TrenchFET® Power MOSFETs offer a low on-resistance for a P-Channel device with a sub-0.8mm profile. Vishay / Siliconix SiA429DJT TrenchFET Power MOSFETs come in a thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package with an ultra-low 0.6mm profile. The SiA429DJT is ideal for DC/DC converters and load and charger switches. The lower on-resistance translates into lower conduction losses.

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