SIA429DJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

データシート:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥157.8 ¥158
¥97.7 ¥977
¥63.5 ¥6,350
¥48.7 ¥24,350
¥43.9 ¥43,900
完全リール（3000の倍数で注文）
¥37.9 ¥113,700
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
12 A
20.5 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
3.5 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: SIA
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
別の部品番号: SIA429DJT-GE3
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
8541210101
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
ドイツ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SiA429DJT 20V P-Channel MOSFETs

Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P-Ch TrenchFET® Power MOSFETs offer a low on-resistance for a P-Channel device with a sub-0.8mm profile. Vishay / Siliconix SiA429DJT TrenchFET Power MOSFETs come in a thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package with an ultra-low 0.6mm profile. The SiA429DJT is ideal for DC/DC converters and load and charger switches. The lower on-resistance translates into lower conduction losses.

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