GaN HEMTベースのMMIC

Cree GaN(窒化ガリウム)HEMT(高電子移動度トランジスタ)ベースのMMIC(モノリシック マイクロ波集積回路)により、小型フットプリントのパッケージで極めて広い帯域幅を達成できます。GaNは、シリコンやガリウムヒ素に比べて優れた特性を備えています。これには、高絶縁破壊電圧、高飽和電子ドリフト速度、高熱伝導率などがあります。またGaN HEMTは、SiやGaAsのトランジスタに比べて高い電力密度と広い帯域幅を備えています。
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結果: 5
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 動作周波数
動作供給電圧
動作供給電流
ゲイン
タイプ
取り付け様式
技術
P1dB - 圧縮ポイント
OIP3 - 3次インターセプト
最低動作温度
最高動作温度
パッケージ化
MACOM RF 増幅器 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 25 Watt
データシート
10在庫
最低： 1
複数： 1

20 MHz to 6 GHz 50 V 500 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 32 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM RF 増幅器 GaN MMIC Power Amp 2.5-6.0GHz, 25 Watt
データシート
9在庫
最低： 1
複数： 1

2.5 GHz to 6 GHz 28 V 1.2 A 24 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 26 dBm - 55 C + 150 C Tray
MACOM RF 増幅器 GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
データシート
1在庫
10予想2026/04/30
最低： 1
複数： 1

6 GHz to 12 GHz 28 V 2 A 34 dB Power Amplifiers Screw GaN 46.2 dBm 22 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM RF 増幅器 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
データシート
2在庫
50予想2026/04/24
最低： 1
複数： 1

20 MHz to 6 GHz 28 V 100 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM RF 増幅器 GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

13.75 GHz to 14.5 GHz 40 V 240 mA 24 dB Power Amplifiers Screw GaN - 15 dBm - 40 C + 85 C Tray