バラントランス

STMicroelectronicsバラントランスは、高品質RFパッシブ・コンポーネントを1枚のガラス基板に集積するSTのプロセスを採用しています。さらに、平衡/不平衡変換だけでなく、マッチングネットワークを1mm²未満のフットプリントに集積し、全機能を実現することも可能です。これらのバランは、STMicroelectronics IPD（統合受動デバイス）技術を活用し、非導電ガラス基板で設計されており、RF性能を最適化できます。これらのバランには、STのトランシーバを対象としたコンパニオン・チップが備わっており、RFの複雑性を大幅に削減しリンク・バジェットを最適化する場合に役立ちます。これらのバラン・トランスには、インピーダンス・マッチング、50Ω公称インピーダンス、高調波フィルタの3機能が統合されています。