IXFH46N65X2W

Name: IXYS IXFH46N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH46N65X2W
Price: 1638 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

747-IXFH46N65X2W

メーカ番号：

IXFH46N65X2W

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247

ライフサイクル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	46 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	69 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.5 V
Qg - ゲート電荷:	90 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	660 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	12 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	24 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	21 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	53 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	28 ns

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ECCN:: EAR99

IXFH46N65X2WパワーMOSFET

IXYS IXFH46N65X2W Power MOSFET は、電荷補償原理と独自のプロセス技術を使用して開発された 650V、 69mΩ、 X2 Class HiPerFET™ パワー MOSFET です。このNチャンネルパワーMOSFETには、優れたdv/dt性能と共に、低オン状態抵抗および低ゲート電荷が備わっています。IXFH46N65X2W MOSFETは、高電力密度が特徴で、アバランシェ機能によってデバイスの耐久性が強化されています。高速ソフトリカバリボディダイオードに加えて、ウルトラジャンクションMOSFETは、スイッチング損失と電磁干渉（EMI）の低減に役立ちます。IXFH46N65X2W MOSFETは、スイッチモードおよび共振モード電源、DC/DCコンバータ、PFC回路、ACおよびDCモータドライブ、ロボティクス、サーボ制御アプリケーションで使用されます。

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