SSM6K51xNUシリコンNチャンネルMOSFET

Toshiba SSM6K51xNUシリコンNチャネルMOSFETは、さまざまな回路構成およびパッケージのToshibaのMOSFETの広範なポートフォリオの一部です。デバイスは、高速、高性能、低損失、低ON抵抗、小型パッケージ、その他が特徴です。SSM6K51xNUは、電力管理スイッチに最適で、高速スイッチングが特徴です。ドレイン-ソース間のON抵抗が低い1.5V駆動になっています。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A 5,276在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A 3,702在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V 4,165在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel