SiCダイオードと整流器

IXYS SiC（シリコンカーバイド）ダイオードと整流器は、超高速スイッチング、高周波数動作を実現しており、ゼロ回復が備わっており、動作は温度の影響を受けません。低インダクタンスIXYS DE-シリーズRFパッケージと組み合わされたこれらのSiCダイオードおよび整流器ダイオードは、任意の数の高速スイッチングダイオード回路または高周波数コンバータアプリケーションで活用されます。
詳細

結果: 6
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
構成
If - 順電流（Forward Current）
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）
Vf - 順電圧（Forward Voltage）
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）
Ir - 逆電流（Reverse Current）
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
IXYS Integrated Circuits SIC SCHOTTKYダイオード 10A 600V Triple Common Anode SiC Schottky Diode
データシート
在庫なし
最低： 40
複数： 40

SMD/SMT SMD-6 Triple Common Anode 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits SIC SCHOTTKYダイオード 10A 600V Triple Common Cathode SiC Schottky Diode
データシート
在庫なし
最低： 40
複数： 40

SMD/SMT SMD-6 Triple Common Cathode 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits SIC SCHOTTKYダイオード 10A 600V Triple SiC Schottky Diode
データシート
在庫なし
最低： 40
複数： 40

SMD/SMT SMD-6 Triple 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits SIC SCHOTTKYダイオード 5A 1200V Triple Common Anode SiC Schottky Diode
データシート
在庫なし
最低： 30
複数： 30

SMD/SMT SMD-6 Triple Common Anode 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C SS27 Tube
IXYS Integrated Circuits SIC SCHOTTKYダイオード 5A 1200V Triple Common Cathode SiC Schottky Diode
データシート
在庫なし
最低： 30
複数： 30

SMD/SMT SMD-6 Triple Common Cathode 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C SS27 Tube
IXYS Integrated Circuits SIC SCHOTTKYダイオード 5A 1200V Triple SiC Schottky Diode
データシート
在庫なし
最低： 30
複数： 30

SMD/SMT SMD-6 Triple 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C SS27 Tube