M1F45M12W2-1LA

Name: STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1F45M12W2-1LA
Price: 7878 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-M1F45M12W2-1LA

メーカ番号：

M1F45M12W2-1LA

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFETモジュール Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

M1F45M12W2-1LA データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics M1F45M12W2-1LAの詳細を読む

在庫: 519

在庫：: 519 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 19 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥7,878.4	¥7,878
	¥5,892.8	¥64,821
	¥5,600	¥616,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.9 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
製品タイプ:	MOSFET Modules
工場パックの数量:	11
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	Automotive Grade Power Module

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

M1F45M12W2-1LA データシート (PDF)

PCN

Product Catalogs

Flyer (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32パワーモジュール

STMicroelectronics M1F45M12W2-1LAACEPACK DMT‑32 パワーモジュール、ハイブリッド車および電気自動車の DC/DC コンバータステージ用に設計されています。 M1F45M12W2-1LAには、統合NTCが搭載された4パックトポロジが採用されています。このデバイスには、STMicroelectronicsの第2世代シリコンカーバイドパワーMOSFET 4台が組み込まれています。M1F45M12W2-1LAは、エネルギー効率と高スイッチング周波数のバランスを保ち、高電力密度と効率性の複雑なトポロジを可能にします。STMicroelectronicsデバイスには、優れた熱性能を保証するAlN絶縁基板があります。また、溝付き設計によって安全のために沿面距離が強化されています。