ハーフブリッジIGBT

Vishay Semiconductors のハーフブリッジIGBTは、トレンチIGBT技術および100A、150A、200Aの電流定格を特徴としています。これらのIGBTは、低伝導損失、低ジャンクション対ケース熱低減、ヒートシンクへの直接取り付け設計を備えています。ハーフブリッジIGBTには、超ソフトな逆回復特性を持つ第4世代FRED Pt®逆並列ダイオードが搭載されています。Vishay Semiconductors のハーフブリッジIGBTは、AC TIG溶接機などの大電流インバーターステージ用に最適化されています。

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 製品 構成 コレクタ - エミッタ飽和電圧 25 Cでのコレクターの直流 ゲート - エミッタ リーク電流 Pd - 電力損失 パッケージ/ケース 最低動作温度 最高動作温度 パッケージ化
Vishay Semiconductors IGBT モジュール Modules IGBT - IAP IGBT 30在庫
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT モジュール Modules IGBT - IAP IGBT 13在庫
15予想2026/02/26
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT モジュール Modules IGBT - IAP IGBT 17在庫
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT モジュール Modules IGBT - IAP IGBT 12在庫
15予想2026/04/21
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT モジュール Modules IGBT - IAP IGBT
15予想2026/02/24
最低: 1
複数: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk