NVD6824NLシングルNチャネルMOSFET

onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETは、低RDS(on)により導通損失を最小限に抑え、高い電流容量を実現します。これらのMOSFETは、100Vのドレイン・ソース間電圧、最大20mΩのドレイン・ソース間オン抵抗、および41Aの連続ドレイン電流を特徴としています。NVD6824NL MOSFETは、AEC-Q101認定を取得しており、PPAP対応です。また、アバランシェエネルギーの仕様が定められています。NVD6824NL MOSFETは、鉛およびハロゲン/BFRを含まず、RoHS指令に準拠しています。これらのMOSFETは、ソレノイドドライバやブーストスイッチなどの自動車用途に適しています。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 パッケージ化
onsemi MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
2,500予想2026/07/20
最低: 1
複数: 1
最大: 250
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 100 V 41 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM 非在庫リードタイム 29 週間

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 41 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel