DMT47M2LDVQデュアルNチャンネル拡張モードMOSFET

Diodes Inc. DMT47M2LDVQデュアルNチャンネル拡張モードMOSFETは、ON状態の損失を最小限に抑える低RDS(ON) が備わった40V MOSFETです。デバイスは、入力容量が低く、高速スイッチング速度が備わっています。Diodes Inc. DMT47M2LDVQ MOSFETは、自動車アプリケーションの厳しい要件を満たすように設計されています。AEC-Q101の認定を取得しており、PPAPによってサポートされています。

結果: 4
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
パッケージ化
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K
データシート
25在庫
10,000取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K
データシート
84,000工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K
データシート
非在庫リードタイム 40 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K
データシート
非在庫リードタイム 40 週間
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape