MJD 車載用中電力トランジスタ

Diodes Inc. MJD車載用中電力トランジスタは、AEC-Q101の認定を受けているバイポーラトランジスタで、PPAP対応で、IATF16949認証施設で製造されています。各デバイスには、コレクタ-エミッタ間破壊電圧50Vまたは100V(最小)があります。Diodes Inc. MJD車載用中電力トランジスタは、TO-252(DPAK)パッケージに収められており、電力スイッチングまたは増幅アプリケーションに最適です。

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - ベース電圧 VCBO エミッタ - ベース電圧 VEBO コレクタ - エミッタ飽和電圧 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 認証 パッケージ化
Diodes Incorporated バイポーラトランジスタ - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 5,679在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated バイポーラトランジスタ - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 1,061在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated バイポーラトランジスタ - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 1,040在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated バイポーラトランジスタ - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
2,395予想2026/04/29
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape