NVH4L022N120M3Sシリコンカーバイド(SiC)MOSFET

ON Semiconductor NVH4L022N120M3S シリコンカーバイド (SiC) MOSFETは、優れたスイッチング性能と、シリコンより高い信頼性を提供します。ON Semiconductor NVH4L022N120M3Sは、低オン抵抗とコンパクトなチップサイズが特長で、低容量と低電荷を実現します。高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減などのシステム上のメリットがあります。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L 282在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET
450予想2026/04/03
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 57 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement