XHP™ 2 & 3 IGBTモジュール

Infineon Technologies XHP™ 2 および 3 IGBT モジュールは、1.7kV ~ 6.5kV の範囲の高電力アプリケーション向けに設計されています。Infineonモジュールは、トラクション、CAV、中電圧ドライブのような要求の厳しい用途に最適です。このデバイスには、スケーラブルなデザイン、一流の信頼性、および最高レベルの電力密度が備わっています。

結果: 4
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 25 Cでのコレクターの直流 ゲート - エミッタ リーク電流 Pd - 電力損失 パッケージ/ケース 最低動作温度 最高動作温度 パッケージ化
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 1200 A dual IGBT module 24在庫
最低: 1
複数: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 1200 A dual IGBT module
20在庫
最低: 1
複数: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 1800 A dual IGBT module 13在庫
最低: 1
複数: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 1800 A dual IGBT module
19在庫
最低: 1
複数: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray