NSF0x120L4A0 NチャンネルMOSFET

Nexperia NSF0x120L4A0 NチャンネルMOSFETは、シリコンカーバイド(SiC)ベースの1,200VパワーMOSFETで、定評のある4ピンTO-247プラスチックパッケージに収められています。これらのMOSFETには、優れたドレイン-ソース間オン状態抵抗温度安定性が備わっています。また低スイッチング損失、高速逆回復、高速スイッチング速度を実現しています。Nexperia MOSFETは、追加のKelvinソースピンのおかげで、さらなる高速通信とスイッチングの改善を実現しています。NSF0x120L4A0モジュールの、最高ゲート-ソース電圧は22V、最高接合部温度は175°Cで、EU RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションは、電気自動車(EV)充電インフラ、太陽光発電インバータ、スイッチモード電源(SMPS)、無停電電源、モータドライブなどです。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード

Nexperia SiC MOSFET NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L 330在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L 390在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement