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SIHP080N60E-GE3

Name: Vishay SIHP080N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHP080N60E-GE3
Price: 854 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SIHP080N60E-GE3

メーカ番号：

SIHP080N60E-GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET TO220 600V 35A N-CH MOSFET

データシート:

SIHP080N60E-GE3 データシート

ECADモデル:

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	¥568	¥5,680
	¥460.8	¥46,080
	¥409.6	¥204,800
	¥348.8	¥348,800

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	35 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	80 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
Qg - ゲート電荷:	42 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	227 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
下降時間:	31 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	4.6 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	96 ns
シリーズ:	SIHP E
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	37 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	31 ns
単位重量:	2 g

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Technical Resources

TO-220-1

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHP080N60E EシリーズパワーMOSFET

Vishay / Siliconix SiHP080N60E EシリーズパワーMOSFETには、第4世代Eシリーズ技術が備わっており、TO-220ABパッケージに収められています。SiHP080N60Eは、低性能指数（FOM）R_on x Q_gおよび低実効容量（C_o(er)）が特徴です。Vishay / Siliconix SiHP080N60E EシリーズパワーMOSFETは、サーバーとテレコム、SMPS、PFC電源アプリケーションを対象に設計されています。