EPC2304

Name: EPC EPC2304
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2304
Price: 1503 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

65-EPC2304

メーカ番号：

EPC2304

メーカ：

EPC

詳細：

GaN FET EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN

ライフサイクル:

Mouser 初

データシート:

EPC2304 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 11,606

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	¥1,503.2	¥1,503
	¥1,024.8	¥10,248
	¥755.8	¥75,580
	¥750.8	¥375,400
	¥656.1	¥656,100
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥611.2	¥1,833,600

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	EPC
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	FCQFN-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	200 V
Id - 連続ドレイン電流:	133 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	6 V, - 4 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	21 nC
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 150 C
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	eGaN FET
ブランド:	EPC
構成:	Single
水分感度:	Yes
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	Power Transistor
製品タイプ:	GaN FETs
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
単位重量:	31.500 mg

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選択した属性: 0

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データシート

EPC2304 データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2304 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is designed to handle tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous, as well as those where on-state losses dominate. This eGaN^® FET offers exceptionally high electron mobility and low temperature coefficient, allowing low drain-source on resistance R_DS(on) of 3.5mΩ typical and 5mΩ maximum. The EPC2304's lateral device structure and majority carrier diode provide exceptionally low total gate charge (Q_G) and zero reverse recovery (Q_RR) losses. This 200V_DS power transistor from EPC comes in an ultra-small 3mm x 5mm QFN package for higher power density.