UG3SC120009K4S

onsemi
431-UG3SC120009K4S
UG3SC120009K4S

メーカ：

詳細：
JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4

データシート:
ECADモデル:
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価格 (JPY)

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合計 額
¥10,307.2 ¥10,307
¥7,910.4 ¥79,104
¥7,780.8 ¥933,696
510 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: JFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Single
1.2 kV
- 25 V to 25 V
6 uA
120 A
7.6 mOhms
789 W
- 55 C
+ 175 C
UG3S
Tube
ブランド: onsemi
製品タイプ: JFETs
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

コンボFET

オンセミ（onsemi）コンボFETは、低RDS (on) onsemi SiC JFETとSi MOSFETが組み合わされている革新的なデバイスで、単一のコンパクトなパッケージに収められています。これらのコンボFETは、ソリッドステート回路ブレーカ、バッテリ切断、サージ保護といった低周波保護アプリケーション用に明示的に設計されており、ユーザーはJFETゲートにアクセスして設計を最適化できます。これらのオンセミ（onsemi）コンボFETにSi MOSFETを統合することによって、通常のoffソリューションが保証され、ディスクリート実装に比べて25%以上のサイズ削減を達成しています。

UG3SC 1,200V 7.6mΩコンボ FET

onsemi UG3SC 1,200V 7.6mΩコンボFETは、1,200V SiC JFETと低電圧Si MOSFETを同一のTO-247-4Lパッケージに収めたものです。この設計によりノーマリーオンの SiC JFETの長所を活かしながら、ノーマリーオフスイッチが可能になります。onsemiのUG3SCコンボFETには、導通損失の低減を目的とした超低オン抵抗 [RDS(on)] と回路保護アプリケーションでの高エネルギースイッチングに必要な堅牢性が備わっています。

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