RS1G201ATTB1

ROHM Semiconductor
755-RS1G201ATTB1
RS1G201ATTB1

メーカ：

詳細：
MOSFET HSOP8 P-CH 40V 20A

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1の詳細を読む

在庫: 6,413

在庫：
6,413 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
18 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥568 ¥568
¥372.8 ¥3,728
¥260.8 ¥26,080
¥227.2 ¥113,600
¥217.6 ¥217,600
完全リール（2500の倍数で注文）
¥211.2 ¥528,000

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
HSOP-8
P-Channel
1 Channel
40 V
78 A
5.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
130 nC
+ 150 C
40 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 250 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 98 ns
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P Channel
標準電源切断遅延時間: 330 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 24 ns
別の部品番号: RS1G201AT
単位重量: 771.020 mg
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

Application Notes

Specification Sheets

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RS1G201ATTB1パワーMOSFET

ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1パワーMOSFETは、無鉛メッキ、低ON抵抗、HSOP8小型表面実装パッケージが特徴です。このMOSFETは、-55°C～150°C温度範囲、-40Vドレイン-ソース電圧、± 80Aパルスドレイン電流、±20Vゲート-ソース電圧で動作します。RS1G201ATTB1パワーMOSFETは、スイッチングでの使用に最適です。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。