MPQ1918ハーフブリッジGaN/MOSFETドライバ

モノリシック・パワー・システム (MPS) MPQ1918ハーフブリッジGaN/MOSFETドライバは、ゲート閾値電圧で、エンハンスメントモード窒化ガリウム(GaN) FETまたはNチャンネルMOSFETを駆動するように設計されています。これらのハーフブリッジドライバは、独立した高圧側(HS) および低圧側(LS) パルス幅変調(PWM) 入力が特徴です。MPQ1918ハーフブリッジドライバは、HSドライバ電圧を対象としたブートストラップ技術を実現しており、最大100V_{DCで動作します。}これらのドライバには、3.7V～5.5V (V_CC)電圧範囲、0.27Ω/1.2Ωプルダウン/プルアップ抵抗、調整可能なターンオンおよびターンオフ機能を目的とした個別のゲート出力が搭載されています。MPQ1918ハーフブリッジドライバは、AEC-Q100 Grade 1の認定を受けており、FCQFN-14パッケージでご用意があります。代表的なアプリケーションには、ハーフブリッジおよびフルブリッジ・コンバータ、オーディオクラスDアンプ、同期降圧コンバータ、電源モジュールなどがあります。