RH7L04 60V NチャンネルパワーMOSFET

ローム株式会社の RH7L04 60V NチャンネルパワーMOSFETは、AEC-Q101認定を取得済で、ドレイン・ソース間電圧60V(VDSS)および連続ドレイン電流±40A(ID)定格の車載グレードMOSFETです。これらのMOSFETは、低ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [ RDS(ON)] が特徴で、 3.3mm x 3.3mm DFN-8(DFN3333T8LSAB)パッケージでご利用いただけます。ROHM Semiconductor RH7L04 MOSFETは、先進ドライバ支援システム(ADAS)、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V 2,157在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
2,996予想2026/02/13
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
3,000予想2026/02/13
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape