G3VH SiC MOSFETリレー

オムロン (Omron)のG3VH SiC MOSFETリレーは、SiC MOSFETテクノロジーに基づく高耐圧MOSFETリレーでありであり、1000V以上の電圧でのスイッチングを可能にします。これらのリレーは、最大1800Vまたは3300Vの負荷電圧に対応しつつ、低オン抵抗により効率的な動作を実現します。G3VHリレーは、ノーマルオープン（1a/SPST-NO）の接点構成を備えたコンパクトな6ピンDIPパッケージで設計されています。これらのG3VH SiC MOSFETリレーは、50mAの入力順電流、最大5000Vrmsの高い入出力間絶縁耐圧、および高速スイッチング特性を備えています。代表的なアプリケーションには、高電圧スイッチングが必要とされる半導体テスト装置やバッテリ管理システム（BMS）が含まれます。

結果: 6
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル パッケージ化
取り付け様式
定格負荷電圧
リレー接点構成
パッケージ/ケース
出力タイプ
最低動作温度
最高動作温度
長さ
幅
高さ
シリーズ
Omron Electronics ソリッドステートリレー：PCBマウント 1800 V 30 mA SiC MOSFET
データシート
100取寄中
最低： 1
複数： 1

PCB Mount 1800 V 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics ソリッドステートリレー：PCBマウント 1800 V 30 mA SiC MOSFET
データシート
100取寄中
最低： 1
複数： 1

PCB Mount 1800 V 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics ソリッドステートリレー：PCBマウント 3300 V 300 mA SiC MOSFET
データシート
100取寄中
最低： 1
複数： 1

PCB Mount 2640 V 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics ソリッドステートリレー：PCBマウント 3300 V 300 mA SiC MOSFET
データシート
100取寄中
最低： 1
複数： 1

PCB Mount 2640 V 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics ソリッドステートリレー：PCBマウント 1800V 30 mA SiC MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

Reel PCB Mount 1800 V 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Omron Electronics ソリッドステートリレー：PCBマウント 3300V 300 mA SiC MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

Reel PCB Mount 2640 V 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH