NTMFS6H858NLT1G

onsemi
863-NTMFS6H858NLT1G
NTMFS6H858NLT1G

メーカ：

詳細：
MOSFET T8 80V LL SO8FL

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 857

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥192 ¥192
¥120.2 ¥1,202
¥79.2 ¥7,920
¥61.4 ¥30,700
¥51.5 ¥51,500
完全リール（1500の倍数で注文）
¥47.5 ¥71,250
¥47.2 ¥141,600

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
80 V
30 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
12 nC
- 55 C
+ 175 C
42 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: MY
下降時間: 4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 45 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 34 ns
シリーズ: NTMFS6H858NL
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 15 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTMFS6H858NL NチャンネルパワーMOSFET

Onsemi NTMFS6H858NL Nチャンネル・パワーMOSFETは、5mm x 6mmフラット・リードパッケージのコンパクトで効率的な設計を目指して設計されています。このパワーMOSFETは、低RDS (on) 、低QG と静電容量、ロジックレベルの駆動能力が特徴です。NTMFS6H858NL Nチャンネル・パワーMOSFETは、80Vのドレイン‐ソース間電圧、± 20Vのゲート‐ソース間電圧、-55°C ~ 175°Cの動作ジャンクションおよび保存温度範囲で動作します。このパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、スイッチング電源、パワースイッチ（高圧側ドライバ、低圧側ドライバ、Hブリッジ）、48Vシステム、モータ制御、負荷スイッチ、DC/DCコンバータがあります。

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