3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Linear Integrated Systems 3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature high input impedance, high gate breakdown, ultra-low leakage, and low capacitance. These MOSFETs offer -40V drain-source or drain-gate voltage, 50mA drain current, and 375mW (TO-72 case), and 350mW (SOT-143 case) power dissipation. The 3N163 P-Channel MOSFETs are available in the TO-72 RoHS, SOT-143 RoHS package, and as bare die. These MOSFETs are ideal for amplifier and switching applications.

結果: 4
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
Linear Integrated Systems MOSFET SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
データシート
631在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-72-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Bulk
Linear Integrated Systems MOSFET SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
データシート
在庫なし
最低： 500
複数： 500
リール: 500
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems MOSFET SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
データシート
在庫なし
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems MOSFET SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
データシート
在庫なし
最低： 3,000
複数： 3,000

Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement