RFxL RFパワーLDMOSトランジスタ

STMicroelectronics RFxL RFパワーLDMOSトランジスタは、周波数帯域が異なる複数のアプリケーションを対象とした高性能を発揮できます。RFxL RFパワートランジスタは、B4E、B2、LBBパッケージでご用意があります。

結果: 4
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル トランジスタ極性 技術 Id - 連続ドレイン電流 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース 動作周波数 ゲイン 出力電力 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 110在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor 20在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 120

N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 在庫なし
最低: 100
複数: 100
リール: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel