SCT4045DWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DWAHRTL
Price: 1892 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-SCT4045DWAHRTL

メーカ番号：

SCT4045DWAHRTL

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC

データシート:

SCT4045DWAHRTL データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

ROHM Semiconductor SCT4045DWAHRTLの詳細を読む

在庫: 1,996

在庫：: 1,996 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 27 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥1,892.4	¥1,892
	¥1,286.1	¥12,861
	¥1,110	¥111,000
	¥1,093.7	¥546,850
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥1,036.7	¥1,036,700
2,000	見積り

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-263-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	750 V
Id - 連続ドレイン電流:	31 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	59 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.8 V
Qg - ゲート電荷:	63 nC
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	93 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TH
下降時間:	10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	9.3 S
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	SiC MOSFETS
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	16 ns
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	27 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5.1 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SCT4045DWAHRTL データシート

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SCT4045DWAHR AEC-Q101 NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 Nチャンネル炭化ケイ素（SiC）パワーMOSFETは、過酷な環境下での高効率、高信頼性アプリケーション向けに設計された車載グレードのデバイスです。ドレイン－ソース電圧定格750V、および（チップあたり+25°C）の連続ドレイン電流31Aを備えたこのデュアルMOSFETデバイスは、チャンネルあたりわずか45mΩ の標準的なオン抵抗を備えており、導通損失の低減と熱性能の向上が可能になります。コンパクトなTO-263-7LA構成に格納されたROHM SCT4045DWAHRは、高密度設計や効率的な熱管理に対応しています。

AEC-Q101 SiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiCパワーMOSFETは、車載用およびスイッチモード電源に最適です。SiCパワーMOSFETは、ブースト・スイッチング周波数に使用でき、コンデンサ、リアクタ、その他の必要になるコンポーネントの量を減少します。AEC-Q101 SiCパワーMOSFETは、車載用のインバータやDC-DCコンバータなど、さまざまな駆動システムにおいて優れた小型化と軽量化を実現できます。

第4世代NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor第4世代Nチャンネル・シリコンカーバイド（SiC）パワーMOSFETは、短絡耐性時間の改善によって低on抵抗を実現しています。第4世代SiC MOSFETは、並列接続が容易で駆動が簡単です。MOSFETは、高速スイッチング速度/逆回復、低スイッチング損失、175°Cの最高動作温度が特徴です。ROHM第4世代NチャンネルSSiCパワーMOSFETは、デバイスの省電力に貢献する15Vゲート-ソース電圧に対応しています。