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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
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1:
¥3,070.9
-
1,665在庫
-
新製品
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Mouser 部品番号
726-IMZC120R022M2HXK
新製品
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Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
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1,665在庫
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最低： 1
複数： 1
最大： 50
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Through Hole
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TO-247-4
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N-Channel
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1 Channel
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1.2 kV
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80 A
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22 mOhms
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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71 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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329 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,994.3
-
277在庫
-
720取寄中
-
新製品
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Mouser 部品番号
726-IMZC120R012M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
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277在庫
720取寄中
取寄中:
480 予想2026/07/09
240 予想2027/04/15
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¥4,994.3
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¥3,998.4
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¥3,457.2
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¥3,274.7
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見積り
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見積り
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最低： 1
複数： 1
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Through Hole
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TO-247-4
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N-Channel
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1 Channel
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1.2 kV
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129 A
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12 mOhms
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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124 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Infineon Technologies
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1:
¥3,742.5
-
396在庫
-
480取寄中
-
新製品
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Mouser 部品番号
726-IMZC120R017M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
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396在庫
480取寄中
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最低： 1
複数： 1
最大： 20
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Through Hole
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TO-247-4
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N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
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97 A
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17 mOhms
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- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
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89 nC
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- 55 C
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+ 175 C
|
382 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,759.6
-
483在庫
-
新製品
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Mouser 部品番号
726-IMZC120R026M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
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483在庫
|
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最低： 1
複数： 1
最大： 20
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Through Hole
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TO-247-4
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N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
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69 A
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25 mOhms
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- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
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124 nC
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- 55 C
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+ 175 C
|
289 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,246.1
-
826在庫
-
240予想2026/07/09
-
新製品
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Mouser 部品番号
726-IMZC120R034M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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826在庫
240予想2026/07/09
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最低： 1
複数： 1
最大： 70
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Through Hole
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TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
55 A
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- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
45 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
244 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,796.3
-
776在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R053M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
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|
776在庫
|
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¥1,796.3
|
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¥1,269.8
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¥1,057.9
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¥942.1
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¥881.8
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最低： 1
複数： 1
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Through Hole
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TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
38 A
|
53 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
182 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,106
-
1,992取寄中
-
新製品
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Mouser 部品番号
726-IMZC120R040M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
|
|
1,992取寄中
取寄中:
552 予想2026/07/23
480 予想2026/07/30
240 予想2027/04/22
240 予想2027/05/06
480 予想2027/05/13
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¥2,106
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¥1,569.7
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¥1,307.3
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¥1,165.5
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最低： 1
複数： 1
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Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
48 A
|
40 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
218 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
- IMZC120R078M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,605.6
-
480取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMZC120R078M2HXK
新製品
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
|
|
480取寄中
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|
¥1,605.6
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¥1,097
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¥904.7
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¥805.2
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最低： 1
複数： 1
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Through Hole
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TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
28 A
|
78 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
21 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
143 W
|
Enhancement
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CoolSiC
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|
日本