GaN FET – Mouser 日本

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GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT

Nexperia GANB1R2-040QBAおよびGANB012-040CBA GaN HEMTは、40V、1.2mΩ または12mΩ 、双方向窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。

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結果: 2

適用されたフィルタ:

パッケージ/ケース

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Qg - ゲート電荷

Pd - 電力損失

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新製品

RoHS対応品

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部品番号

GaN FET GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12

GANB012-040CBAZ
Nexperia
1: ¥169.5
2,424在庫
新製品

メーカ部品番号
GANB012-040CBAZ

Mouser 部品番号
771-GANB012-040CBAZ

新製品

Nexperia

GaN FET GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12

Nexperia ganb1r2 040qba ganb012 040cba gan hemts について

データシート

2,424在庫

カットテープ

¥169.5

¥110

¥109

¥104.5

リール

¥78.9

表示

最低： 1
複数： 1

: 2,500

SMD/SMT

WLCSP-12

P-Channel

1 Channel

40 V

10 A

12 mOhms

6 V

2.4 V

7.2 nC

- 40 C

+ 125 C

11 W

Enhancement

GaN FET GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16

GANB1R2-040QBAZ
Nexperia
1: ¥1,325.2
2,132在庫
新製品

メーカ部品番号
GANB1R2-040QBAZ

Mouser 部品番号
771-GANB1R2-040QBAZ

新製品

Nexperia

GaN FET GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16

Nexperia ganb1r2 040qba ganb012 040cba gan hemts について

データシート

2,132在庫

カットテープ

¥1,325.2

¥901.4

¥699.3

リール

¥570.5

最低： 1
複数： 1

: 2,500

SMD/SMT

VQFN-16

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.2 mOhms

6 V

2.4 V

60 nC

- 40 C

+ 125 C

105 W

Enhancement

GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT

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