シリコンカーバイド（SiC）MOSFET

Microsemi / Microchipシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、従来のシリコン（Si）パワーMOSFETより優れたダイナミックおよび熱性能が備わっています。これらのMOSFETは、低静電容量、低ゲート電荷、高速スイッチング速度、優れたアバランシェ耐久性を備えています。SiC MOSFETは、175°Cの高接合温度で安定した動作が可能です。これらのMOSFETは、低スイッチング損失での高効率を実現しています。SiC MOSFETには、フリーホイールダイオードは一切不要で、システムコストを削減できます。代表的なアプリケーションには、スマートグリッド伝達と分配、誘導加熱と溶接、電源、さらに分配があります。