D2PAK-7Lパッケージ750V UJ4C/SC SIC FET

Onsemiの750V UJ4C/SC SIC FETは、D2PAK-7Lパッケージで提供され、オン抵抗は9mΩ〜60mΩの複数のオプションがあります。通常オンのSIC JFETとSi MOSFETを同一パッケージに組み合わせ、通常オフのSIC FETを実現する独自のカスコードSIC FET技術を活用することで、これらのデバイスは優れたRDS ×面積のフィギュアオブメリットを提供し、小型のダイで低い導通損失を実現します。D2PAK-7Lパッケージは、コンパクトな内部接続ループからのインダクタンスの削減を実現しており、同梱のKelvinソース接続と共にスイッチング損失を低く抑え、より高い周波数動作とシステム電力密度の向上が可能になります。5つの並列ガルウィングソース接続により、低インダクタンスと大電流の使用が可能になります。銀焼結ダイアタッチは低い熱抵抗を提供し、標準的なPCBおよびIMS基板で液冷を使用することで、最大の熱放出を実現します。

結果: 7
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7 688在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7 1,247在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263-7 812在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263-7 490在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263-7 764在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263-7 904在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263-7 347在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET